| Title: | Direct growth of graphene on SiO2/Si substrate |
| Authors: | Macháč, Petr Valentová, T. Bláhová, V. |
| Citation: | Electroscope. 2016, č. 1. |
| Issue Date: | 2016 |
| Publisher: | Západočeská univerzita v Plzni, Fakulta elektrotechnická |
| Document type: | článek article |
| URI: | http://147.228.94.30/images/PDF/Rocnik2016/Cislo1_2016/r10c1c8.pdf http://hdl.handle.net/11025/17672 |
| ISSN: | 1802-4564 |
| Keywords: | grafen;bezpřenosová metoda;žíhání |
| Keywords in different language: | graphene;transfer-free method;annealing |
| Abstract: | Práce je zaměřena na přípravu grafenu s využitím tzv. bezpřenosové metody, která vychází ze struktury kov/C/SiO2/Si. Tenké vrstvy niklu či kobaltu byly použity jako kov.Článek se zabývá optimalizací tloušťky kovů a žíhacího procesu (teploty a doby žíhání)s cílem připravit grafen s co nejlepšími parametry. Úspěšně se nám podařilo připravit dvouvrstvý grafen. |
| Abstract in different language: | This work is focused on graphene preparation using the transfer-free method from a metal/C/SiO2/Si structure. We used nickel and cobalt as the metal layer. The technological process of graphene preparation is based on an optimization of metal thickness and annealing parameters(temperature and duration). We successfully prepared bi-layer graphene. |
| Rights: | Copyright © 2015 Electroscope. All Rights Reserved. |
| Appears in Collections: | Číslo 1 (2016) Číslo 1 (2016) |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| r10c1c8.pdf | Plný text | 273,32 kB | Adobe PDF | View/Open |
Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/11025/17672Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.