Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorMacháč, P.
dc.contributor.authorBláhová, V.
dc.contributor.editorPihera, Josef
dc.contributor.editorSteiner, František
dc.date.accessioned2016-12-14T09:36:23Z
dc.date.available2016-12-14T09:36:23Z
dc.date.issued2016
dc.identifier.citationElectroscope. 2016, č. 3.cs
dc.identifier.issn1802-4564
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11025/22031
dc.description.abstractPříspěvek popisuje přípravu a charakterizaci grafenových filmů připravených metodou chemické depozice z plynného prostředí. Je použit reaktor se studeným pláštěm, jako zdroj uhlíku je použit metan. Grafen je vytvořen na měděné fólii při teplotě cca 1000°C. Druhým krokem přípravy je přenos grafenu na dielektrický substrát s využitím polymethylmethakrylátu. Nejlepší připravené grafenové filmy vykazují tloušťku v rozmezí jedné až dvou uhlíkových nanovrstev.cs
dc.format10 s.
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.language.isoenen
dc.publisherZápadočeská univerzita v Plzni, Fakulta elektrotechnickács
dc.relation.ispartofseriesElectroscopecs
dc.rightsCopyright © 2015 Electroscope. All Rights Reserved.en
dc.subjectgrafencs
dc.subjectchemická depozicecs
dc.subjectgrapheneen
dc.subjectchemical depositionen
dc.titleGraphene growth by chemical vapor deposition process on copper foilen
dc.typečlánekcs
dc.typearticleen
dc.rights.accessopenAccessen
dc.type.versionpublishedVersionen
dc.type.statusPeer-revieweden
Appears in Collections:Číslo 3 (2016) - IMAPS flash Conference 2016
Číslo 3 (2016) - IMAPS flash Conference 2016

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Machac.pdfPlný text512,79 kBAdobe PDFView/Open


Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/11025/22031

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.