Full metadata record
DC poleHodnotaJazyk
dc.contributor.authorOčenášek, Jan
dc.contributor.authorNovák, Petr
dc.contributor.authorPrušáková, Lucie
dc.date.accessioned2017-03-02T09:52:05Z
dc.date.available2017-03-02T09:52:05Z
dc.date.issued2017
dc.identifier.citationApplied surface science, 2017, roč. 392, č. 15 January 2017, s. 867-871. ISSN 0169-4332.en
dc.identifier.issn0169-4332
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11025/25678
dc.identifier.urihttps://www.scopus.com/record/display.uri?origin=resultslist&eid=2-s2.0-84988920455
dc.description.abstractTato práce ukazuje, že laserem indukovaná krystalizace instrumentovaná Ramanovo spektroskopií je, z obecného pohledu, efektivním nástrojem pro studium kinematiky tepelne aktivované crystalizace. Je ukázáno, pro krystalizaci pevné fáze amorfního křemíku ve formě tenké vrstvy, že integrální intenzita Ramanovo spektra odpovídající krystalické fázi roste lineárné v časově logaritmickém měřítku. Byl vytvořen matematický model pro simulaci krystalizace v nehomogenním teplotním poli. Model je založen na řešení Ekonalovo rovnice a Arheniovo zákoně. Počítačové simulace úspěšně aproximují kinetiku krystalizace.cs
dc.format5 s.cs
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.language.isoenen
dc.publisherElsevieren
dc.rights© Elsevieren
dc.subjectamorní křemíkcs
dc.subjectkrystalizacecs
dc.subjectlasercs
dc.subjectEikonalova rovnicecs
dc.subjectArhenisův zákoncs
dc.titleKinetika laserem indukované krystalizace amorního křemíku: časově závislé Ramanova spetra a počítačové simulacecs
dc.titleKinetics of the laser-induced solid phase crystallization of amorphoussilicon: time-resolved Raman spectroscopy and computersimulationsen
dc.typečlánekcs
dc.typearticleen
dc.rights.accessopenAccessen
dc.type.versionpublishedVersionen
dc.description.abstract-translatedThis study demonstrates that a laser-induced crystallization instrumented with Raman spectroscopy is, in general, an effective tool to study the thermally activated crystallization kinetics. It is shown, for the solid phase crystallization of an amorphous silicon thin film, that the integral intensity of Raman spectra corresponding to the crystalline phase grows linearly in the time-logarithmic scale. A mathematical model, which assumes random nucleation and crystal growth, was designed to simulate the crystallization process in the non-uniform temperature field induced by laser. The model is based on solving the Eikonal equation and the Arhenius temperature dependence of the crystal nucleation and the growth rate. These computer simulations successfully approximate the crystallization process kinetics and suggest that laser-induced crystallization is primarily thermally activated.en
dc.subject.translatedamorphous siliconen
dc.subject.translatedcrystallizationen
dc.subject.translatedlaseren
dc.subject.translatedEikonal equationen
dc.subject.translatedArhenius lawen
dc.identifier.doi10.1016/j.apsusc.2016.09.053
dc.type.statusPeer-revieweden
dc.identifier.obd43916383
Vyskytuje se v kolekcích:Články / Articles (CTM)
OBD

Soubory připojené k záznamu:
Soubor VelikostFormát 
Ocenasek_ASS_2016_submited.pdf908,21 kBAdobe PDFZobrazit/otevřít
Zobrazit minimální záznam Zobrazit statistiky


Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam: http://hdl.handle.net/11025/25678

Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.

hledání
navigace
  1. DSpace at University of West Bohemia
  2. Publikační činnost / Publications
  3. Nové technologie - výzkumné centrum / New Technologies - Research Centre
  4. Centrum nových technologií a materiálů / New Technology and Materials Centre (CTM)
  5. Články / Articles (CTM)