Název: Moderní polovodičové součástky ve výkonové elektronice
Další názvy: Modern semiconductor components in power electronics
Autoři: Truong, Dinh Hung
Vedoucí práce/školitel: Drábek, Pavel
Oponent: Fořt, Jiří
Datum vydání: 2012
Nakladatel: Západočeská univerzita v Plzni
Typ dokumentu: diplomová práce
URI: http://hdl.handle.net/11025/2662
Klíčová slova: SiC;karbid křemíku;3C-SiC;4H-SiC;6H-SiXC;polytypie;epitaxe;ohmický kontakt;Schottkyho kontakt;PN dioda s SiC;Schottkyho dioda s SiC;VJFET s SiC;pulsní měnič
Klíčová slova v dalším jazyce: SiC;silicon carbide;3C-SiC;4H-SiC;6H-SiXC;polytypie;epitaxe;ohmický kontakt;Schottkyho kontakt;PN dioda s SiC;Schottkyho dioda s SiC;VJFET s SiC;pulsní měnič
Abstrakt: Polovodičové součástky na bázi křemíku (Si) a arsenik galia (GaAs) nejsou vhodné pro použití ve vysokých teplotách, napětích a ve vysokofrekvenčních zařízeních. Velká mechanická pevnost, vysoká tepelná vodivost a široký zakázaný pás jsou vlastnosti, které z SiC dělá vhodného kandidáta pro použití v polovodičové technice.
Abstrakt v dalším jazyce: Semiconductor devices based on silicon (Si) and gallium arsenic (GaAs) are not suitable for use in high temperature, voltage and high frequency device. Great mechanical strength, high thermal conductivity and wide bandgap are properties of SiC, which makes a good candidate for use in semiconductor technology.
Práva: Plný text práce je přístupný bez omezení
Vyskytuje se v kolekcích:Diplomové práce / Theses (KET)

Soubory připojené k záznamu:
Soubor Popis VelikostFormát 
DP_Truong_MPSVE_2012.pdfPlný text práce3,19 MBAdobe PDFZobrazit/otevřít
040793_vedouci.pdfPosudek vedoucího práce267,24 kBAdobe PDFZobrazit/otevřít
Truong_O.pdfPosudek oponenta práce657,77 kBAdobe PDFZobrazit/otevřít
040793_hodnoceni.pdfPrůběh obhajoby práce112,43 kBAdobe PDFZobrazit/otevřít


Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam: http://hdl.handle.net/11025/2662

Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.