Full metadata record
DC poleHodnotaJazyk
dc.contributor.advisorDrábek, Pavel
dc.contributor.authorTruong, Dinh Hung
dc.contributor.refereeFořt, Jiří
dc.date.accepted2012-06-05
dc.date.accessioned2013-06-19T06:29:18Z
dc.date.available2010-10-18cs
dc.date.available2013-06-19T06:29:18Z
dc.date.issued2012
dc.date.submitted2012-05-11
dc.identifier40793
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11025/2662
dc.description.abstractPolovodičové součástky na bázi křemíku (Si) a arsenik galia (GaAs) nejsou vhodné pro použití ve vysokých teplotách, napětích a ve vysokofrekvenčních zařízeních. Velká mechanická pevnost, vysoká tepelná vodivost a široký zakázaný pás jsou vlastnosti, které z SiC dělá vhodného kandidáta pro použití v polovodičové technice.cs
dc.format40 s.cs
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.language.isocscs
dc.publisherZápadočeská univerzita v Plznics
dc.rightsPlný text práce je přístupný bez omezení.cs
dc.subjectSiCcs
dc.subjectkarbid křemíkucs
dc.subject3C-SiCcs
dc.subject4H-SiCcs
dc.subject6H-SiXCcs
dc.subjectpolytypiecs
dc.subjectepitaxecs
dc.subjectohmický kontaktcs
dc.subjectSchottkyho kontaktcs
dc.subjectPN dioda s SiCcs
dc.subjectSchottkyho dioda s SiCcs
dc.subjectVJFET s SiCcs
dc.subjectpulsní měničcs
dc.titleModerní polovodičové součástky ve výkonové elektronicecs
dc.title.alternativeModern semiconductor components in power electronicsen
dc.typediplomová prácecs
dc.thesis.degree-nameIng.cs
dc.thesis.degree-levelNavazujícícs
dc.thesis.degree-grantorZápadočeská univerzita v Plzni. Fakulta elektrotechnickács
dc.description.departmentKatedra technologií a měřenícs
dc.thesis.degree-programElektrotechnika a informatikacs
dc.description.resultObhájenocs
dc.rights.accessopenAccessen
dc.description.abstract-translatedSemiconductor devices based on silicon (Si) and gallium arsenic (GaAs) are not suitable for use in high temperature, voltage and high frequency device. Great mechanical strength, high thermal conductivity and wide bandgap are properties of SiC, which makes a good candidate for use in semiconductor technology.en
dc.subject.translatedSiCen
dc.subject.translatedsilicon carbideen
dc.subject.translated3C-SiCen
dc.subject.translated4H-SiCen
dc.subject.translated6H-SiXCen
dc.subject.translatedpolytypieen
dc.subject.translatedepitaxeen
dc.subject.translatedohmický kontakten
dc.subject.translatedSchottkyho kontakten
dc.subject.translatedPN dioda s SiCen
dc.subject.translatedSchottkyho dioda s SiCen
dc.subject.translatedVJFET s SiCen
dc.subject.translatedpulsní měničen
Vyskytuje se v kolekcích:Diplomové práce / Theses (KET)

Soubory připojené k záznamu:
Soubor Popis VelikostFormát 
DP_Truong_MPSVE_2012.pdfPlný text práce3,19 MBAdobe PDFZobrazit/otevřít
040793_vedouci.pdfPosudek vedoucího práce267,24 kBAdobe PDFZobrazit/otevřít
Truong_O.pdfPosudek oponenta práce657,77 kBAdobe PDFZobrazit/otevřít
040793_hodnoceni.pdfPrůběh obhajoby práce112,43 kBAdobe PDFZobrazit/otevřít
Zobrazit minimální záznam Zobrazit statistiky


Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam: http://hdl.handle.net/11025/2662

Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.

hledání
navigace
  1. DSpace at University of West Bohemia
  2. Vysokoškolské kvalifikační práce / Theses
  3. Fakulta elektrotechnická / Faculty of Electrical Engineering
  4. Katedra technologií a měření / Department of Technologies and Measurement
  5. Diplomové práce / Theses (KET)