| Název: | Polymorph fosfor SrSi2O2N2: Eu2 + optoelektronické vlastnosti pro vysoce efektivní LED: výpočty abinitio Polymorph phosphor SrSi2O2N2:Eu2 optoelectronic properties for highly efficient LED: ab-initio calculations |
| Autoři: | Azam, Sikander A. Khan, Saleem Ayaz Goumri-Said, Souraya |
| Citace zdrojového dokumentu: | AZAM, S. A., KHAN, S. A., GOUMRI-SAID, S. Polymorph phosphor SrSi2O2N2:Eu2 optoelectronic properties for highly efficient LED: ab-initio calculations. Materials Today Communications, 2017, roč. 13, č. December 2017, s. 263-268. ISSN 2352-4928. |
| Datum vydání: | 2017 |
| Nakladatel: | Elsevier |
| Typ dokumentu: | článek article |
| URI: | 2-s2.0-85033600867 http://hdl.handle.net/11025/29488 |
| ISSN: | 2352-4928 |
| Klíčová slova: | Polymorfní fosfor;LED diody;DFT;Zakázaný pás;Optické vlastnosti |
| Klíčová slova v dalším jazyce: | Polymorph phosphor;LEDs;DFT;Band gap;Optical properties |
| Abstrakt: | Dotovaný polymorf europia na bázi fosforu se strukturou SrSi2O2N2 byl zkoumán za použití teorie funkční hustoty, jak byla implementována v metodě the full potential linear augmented plane wave. Korelace výměn byla popsána v rámci celkové gradientové aproximace přidané k Hubbardovemu efektivnímu parametru. O optoelektronických vlastnostech bylo zjištěno, že zkoumají možnosti použití zařízení SrSi2O2N2: Eu2 + pro zařízení se světelnými diodami (LED). Elektronická propustnost pásma byla snížena z rodičovského SrSi2O2N2, 6,646 eV na 4,66 eV, když bylo včleněno evropium a je to přímé zakázané pásmo. Hustoty stavů ukázaly roli europia a jeho f-orbitálů při ladění zakázaného pásma. Optické vlastnosti, jako je optická odrazivost, index lomu a ztráta energie elektronou, byly odvozeny z dielektrické funkce pro záření do 15 eV. Současné výpočty jednoznačně naznačují, že SrSi2O2N2: Eu2 je slibná směs pro zařízení LED. |
| Abstrakt v dalším jazyce: | A doped europium polymorph based on phosphor with a structure of SrSi2O2N2 was investigated using the density functional theory as implemented in the full potential linear augmented plane wave method. The exchange correlation was described within the generalized gradient approximation added to the optimized effective Hubbard parameter. The optoelectronic properties were reported to explore the possibility to use SrSi2O2N2:Eu2+ for light-emitting diodes (LED) devices. The electronic band gap was reduced from the parent SrSi2O2N2, 6.646 eV to 4.66 eV when europium was incorporated and it is a direct band gap. The densities of states have shown the role of europium and its f-orbitals in tuning the band gap. Optical properties, such as optical reflectivity, refractive index and electron energy loss, were deduced from the dielectric function for radiation up to 15 eV. The present calculations suggest clearly that SrSi2O2N2:Eu2 is a promising compound for LEDs devices. |
| Práva: | Plný text není přístupný. © Elsevier |
| Vyskytuje se v kolekcích: | OpenAire Články / Articles (CTM) OBD |
Soubory připojené k záznamu:
| Soubor | Velikost | Formát | |
|---|---|---|---|
| SrSi2O2N2Eu2.pdf | 1,26 MB | Adobe PDF | Zobrazit/otevřít Vyžádat kopii |
Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam:
http://hdl.handle.net/11025/29488Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.