Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorKrempaský, j.
dc.contributor.authorSpringholz, Gunther
dc.contributor.authorMinár, Jan
dc.contributor.authorDil, Jan Hugo
dc.date.accessioned2019-01-21T11:00:11Z-
dc.date.available2019-01-21T11:00:11Z-
dc.date.issued2018
dc.identifier.citationKREMPASKÝ, j., SPRINGHOLZ, G., MINÁR, J., DIL, J.H. alpha-GeTe and (GeMn)Te Semiconductors: a New Paradigm for Spintronics. In APCOM 2018. Strbske Pleso: American Institute of Physics Inc., 2018. s. 2-11. ISBN 978-0-7354-1712-0 , ISSN 0094-243X.en
dc.identifier.isbn978-0-7354-1712-0
dc.identifier.issn0094-243X
dc.identifier.uri2-s2.0-85051846863
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11025/30852
dc.description.abstractGeTe je nejjednodušší známý binární feroelektrický polovodič s úzkým pásmem. Nižší než 700 K předpokládá nesentrosymmetrickou rohomedickou strukturu, ve které je vytvořen elektrický dipól vzhledem k relativní Ge / Te podtlakový posun ve směru [111]. Feroelektrická polarizace je výsledkem asymetrických poloh Ge a Te atomů v tomto směru a zajišťuje, že systém má dobře definovanou osu pro rozdělení symetrie, což vede k obří rozebírání rozebíratelné struktury pásma Rashby. Zpráva o prvotřídních výpočtech naznačuje, že velké rozměry mřížky zodpovědné za feroelektrické uspořádání jsou také nejvýznamnější složkou pro obra Rashba-spin-dělení. Zkontrolujeme experimentální ověření tohoto obřího rozštěpení typu Rashba a zobrazíme hlavní výsledky (GeMn) Te jsou nové paralelní multiferoické polovodiče s magnetoelektickými vlastnostmi, nabízející široké možnosti pro navrhování spintronických materiálů.cs
dc.format6 s.
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.language.isoenen
dc.publisherAmerican Institute of Physics Inc.en
dc.relation.ispartofseriesApcom 2018en
dc.rightsPlný text není přístupný.cs
dc.rights© American Institute of Physics Inc.en
dc.subjectARPES, KKR, spintronikacs
dc.titlealpha-GeTe and (GeMn)Te Semiconductors: a New Paradigm for Spintronicsen
dc.title.alternativeα-GeTe a (GeMn) Te polovodiče: nová paradigma pro spintronikucs
dc.typekonferenční příspěvekcs
dc.typeconferenceObjecten
dc.rights.accessclosedAccessen
dc.type.versionpublishedVersionen
dc.description.abstract-translatedGeTe is the simplest known binary ferroelectric semiconductor with a narrow band gap. Below 700 K it assumes a non-centrosymmetric rhombohedral structure in which an electric dipole is formed due to a relative Ge/Te sublattice displacement along the [111] direction. Ferroelectric polarization results from asymmetric positions of Ge and Te atoms along that direction and ensures that the system possess a well-defined axis for symmetry breaking, resulting in a giant Rashba-type spin splitting of the bulk band structure. We report on first-principle calculations which indicate that the large lattice distortion responsible for the ferroelectric order is also the most significant ingredient for the giant Rashba-type spin-splitting. We review the experimental verification of this giant Rashba-type splitting and show the main results proving that (GeMn)Te is a new paradigm multiferroic semiconductor with magnetoelectic properties, offering broad opportunities for spintronics materials design.en
dc.subject.translatedARPES, KKR, Spintronicsen
dc.identifier.doi10.1063/1.5048878
dc.type.statusPeer-revieweden
dc.identifier.document-number443464900026
dc.identifier.obd43923851
dc.project.IDinfo:eu-repo/grantAgreetment/EC/Výpočetní a experimentální design pokročilých materiálů s novými funkcionalitami /CZ.02.1.01/0.0/0.0/15_003/0000358
Appears in Collections:OpenAire
Konferenční příspěvky / Conference Papers (CTM)
OBD

Files in This Item:
File SizeFormat 
KMSD18_APCOM_GeTe_krempask2018.pdf1,86 MBAdobe PDFView/Open    Request a copy


Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/11025/30852

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.

search
navigation
  1. DSpace at University of West Bohemia
  2. Publikační činnost / Publications
  3. OBD