Full metadata record
DC poleHodnotaJazyk
dc.contributor.authorHabubi, Nadir F.
dc.contributor.authorAbd, Ahmed N.
dc.contributor.authorDawood, Mohammed O.
dc.contributor.authorAl-Jaary, Ali H. Reshak
dc.date.accessioned2019-03-04T11:50:30Z-
dc.date.available2019-03-04T11:50:30Z-
dc.date.issued2018
dc.identifier.citationHABUBI, N. F., ABD, A. N., DAWOOD, M. O., AL-JAARY, A. H. R. Fabrication and Characterization of a p-AgO/PSi/n-Si Heterojunction for Solar Cell Applications. Silicon, 2018, roč. 10, č. 2, s. 371-376. ISSN 1876-990X.en
dc.identifier.issn1876-990X
dc.identifier.uri2-s2.0-84988383404
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11025/31120
dc.description.abstractP-AgO / psi / n-Si heterojunction byl vyroben pomocí vysokého vakua tepelným odpařováním stříbra a podrobením tepelné oxidaci při 300 ◦C porézního křemíku.cs
dc.format6 s.cs
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.language.isoenen
dc.publisherSpringeren
dc.rightsPlný text není přístupný.cs
dc.rights© Springeren
dc.subjectAgOcs
dc.subjecttepelná oxidacecs
dc.subjectLifetimecs
dc.subjectHetero Diodecs
dc.subjectXRDcs
dc.subjectAFMcs
dc.subjectSEMcs
dc.titleFabrication and Characterization of a p-AgO/PSi/n-Si Heterojunction for Solar Cell Applicationsen
dc.title.alternativeVýroba a charakteristika p-AgO/PSi/n-Si heterizace pro aplikaci u solárních článkůcs
dc.typečlánekcs
dc.typearticleen
dc.rights.accessclosedAccessen
dc.type.versionpublishedVersionen
dc.description.abstract-translatedA p-AgO/PSi/n-Si heterojunction was deposited by high vacuum thermal evaporation of silver subjected to thermal oxidation at 300 ◦C on porous silicon.en
dc.subject.translatedAgOen
dc.subject.translatedThermal oxidationen
dc.subject.translatedLifetimeen
dc.subject.translatedHeterodiodeen
dc.subject.translatedXRDen
dc.subject.translatedAFMen
dc.subject.translatedSEMen
dc.identifier.doi10.1007/s12633-016-9457-1
dc.type.statusPeer-revieweden
dc.identifier.document-number427433100023
dc.identifier.obd43916483
dc.project.IDED2.1.00/03.0088/CENTEM - Centrum nových technologií a materiálůcs
dc.project.IDLO1402/CENTEM+cs
Vyskytuje se v kolekcích:Články / Articles (CTM)
OBD

Soubory připojené k záznamu:
Soubor VelikostFormát 
Ali-p-Ago-Silicon-16.pdf1,31 MBAdobe PDFZobrazit/otevřít  Vyžádat kopii
Zobrazit minimální záznam Zobrazit statistiky


Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam: http://hdl.handle.net/11025/31120

Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.

hledání
navigace
  1. DSpace at University of West Bohemia
  2. Publikační činnost / Publications
  3. OBD