Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.advisorHouška Jiří, Doc. Ing. Ph.D.
dc.contributor.authorMacháňová, Pavla
dc.contributor.refereeSlavík Jan, Doc. RNDr. CSc.
dc.date.accepted2018-6-21
dc.date.accessioned2019-03-15T10:24:04Z-
dc.date.available2017-10-1
dc.date.available2019-03-15T10:24:04Z-
dc.date.issued2018
dc.date.submitted2018-5-25
dc.identifier76638
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11025/32974
dc.description.abstractTato práce se věnuje modelování tenké vrstvy CuZr pomocí klasické molekulární dynamiky. Interakce mezi atomy byly popsány metodou empirického potenciálu. Simulace probíhaly s využitím programu LAMMPS. Na krystalický měděný substrát přilétaly jednotlivé atomy Cu a Zr. Sledovala jsem závislost struktury tenké vrstvy na parametrech jejího vytváření. Zkoumané parametry byly energie přilétajících atomů a podíl Cu a Zr mezi přilétajícími atomy. Ukázalo se, že energie má vliv především na homogenitu. Pro vyšší energii přilétajících atomů byla vzniklá tenká vrstva homogenější, což se projevilo i na hodnotě koordinačních čísel Cu a Zr a na podílu jednotlivých vazeb (Cu-Cu, Cu-Zr, Zr-Zr). Podíl Cu a Zr mezi přilétajícími atomy měl vliv především na strukturu. Na základě simulací jsem stanovila, že vrstva CuZr má amorfní strukturu pro podíl Cu mezi přilétajícími atomy 20 - 90 %. Pro podíl 10 % Cu (tj. 90 % Zr) je vrstva krystalická. Tento závěr je v souladu s již dříve provedeným experimentem.cs
dc.format51 s.cs
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.language.isocscs
dc.publisherZápadočeská univerzita v Plznics
dc.rightsPlný text práce je přístupný bez omezení.cs
dc.subjectcuzrcs
dc.subjectmolekulární dynamikacs
dc.subjectempirické potenciálycs
dc.subjectlammpscs
dc.subjectrůst tenké vrstvycs
dc.subjectstruktura tenké vrstvycs
dc.titlePředpověď struktur multiprvkových kovových vrstev vytvářených atom po atomu pomocí klasické molekulární dynamikycs
dc.typebakalářská prácecs
dc.thesis.degree-nameBc.cs
dc.thesis.degree-levelBakalářskýcs
dc.thesis.degree-grantorZápadočeská univerzita v Plzni. Fakulta aplikovaných vědcs
dc.thesis.degree-programAplikované vědy a informatikacs
dc.description.resultObhájenocs
dc.rights.accessopenAccess
dc.description.abstract-translatedThis paper presents modeling of thin layer CuZr using classical molecular dynamics. Interactions among atoms were described with empirical potentials. The simulations were done using the LAMMPS program. Single atoms Cu and Zr were deposited on crystalline Cu substrate. I focused on dependence of the thin layer properties on the parametres of its growth. The studied parametres were the energy of the arriving atoms and the fraction of Cu and Zr among them. I found that energy primarily affects homogeneity. For the higher energy of the arriving atoms the resulting thin layer was more homogenous, which was also reflected on the value of the coordinate numbers Cu and Zr and on the fraction of individual bonds (Cu-Cu, Cu-Zr, Zr-Zr). The fraction of Cu and Zr among arriving atoms had influence on the structure of the thin layer. On the basis of the simulations I determined that the CuZr layer is amorphous for the Cu fraction among arriving atoms 20 - 90 %. The layer is crystalline for fraction 10 % Cu (90 % Zr). This result is in line with an experiment that has already been carried out.en
dc.subject.translatedcuzren
dc.subject.translatedmolecular dynamicsen
dc.subject.translatedempirical potentialsen
dc.subject.translatedlammpsen
dc.subject.translatedgrowth of thin layeren
dc.subject.translatedthin layer structureen
Appears in Collections:Bakalářské práce / Bachelor´s works (KFY)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
BP_Machanova.pdfPlný text práce33,69 MBAdobe PDFView/Open
Machanova_vedouci.pdfPosudek vedoucího práce598,25 kBAdobe PDFView/Open
Machanova_oponent.pdfPosudek oponenta práce745,12 kBAdobe PDFView/Open
Machanova_obhajoba.pdfPrůběh obhajoby práce219,52 kBAdobe PDFView/Open


Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/11025/32974

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.