Název:	Performance analysis of monolithically integrated depletion-/enhancement-mode InAlN/GaN heterostructure HEMT transistors
Autoři:	Nagy, Lukáš Chvála, Aleš Stopjaková, Viera Blaho, Michal Kuzmík, Ján Gregušová, Dagmar Šatka, Alexander
Citace zdrojového dokumentu:	2017 International Conference on Applied Electronics: Pilsen, 5th – 6th September 2017, Czech Republic, p.129-132.
Datum vydání:	2017
Nakladatel:	Západočeská univerzita v Plzni
Typ dokumentu:	konferenční příspěvek conferenceObject
URI:	http://hdl.handle.net/11025/35425
ISBN:	978–80–261–0641–8 (Print) 978–80–261–0642–5 (Online)
ISSN:	1803–7232 (Print) 1805–9597 (Online)
Klíčová slova:	heterostruktura InAlN / GaN;monolitická integrace;HEMT tranzistor;digitální měnič
Klíčová slova v dalším jazyce:	digital inverter;InAlN/GaN Heterostructure;monolithic integration;HEMT transistor
Abstrakt v dalším jazyce:	The paper addresses a top-down design flow of depletion-load digital inverter formed by monolithically integrated depletion-mode and enhancement-mode high electron mobility transistors (HEMTs) on common InAlN/GaN heterostructure grown on sapphire substrate. We describe the inverter design at transistor level using HSPICE models developed earlier. The inverter layout representation, which also defines the lithographic masks required for the fabrication process, is presented as well. The proposed mask set was designed taking into account the design-for-manufacturing approach. Furthermore, we evaluated measured properties and performance of the fabricated transistors and circuits and recalibrate the transistor models according to the latest measurements.
Práva:	© Západočeská univerzita v Plzni
Vyskytuje se v kolekcích:	Applied Electronics 2017 Applied Electronics 2017

Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.