Název: Performance of silicon photomultipliers at low temperature
Autoři: Nuruyev, S.
Ahmadov, G.
Sadigov, A.
Akberov, R.
Ahmadov, F.
Holík, Michael
Kopatch, Yu.
Citace zdrojového dokumentu: NURUYEV, S., AHMADOV, G., SADIGOV, A., AKBEROV, R., AHMADOV, F., HOLÍK, M., KOPATCH, Y. Performance of silicon photomultipliers at low temperature. Journal of Instrumentation, 2020, roč. 15, č. 3, s. 0-6. ISSN 1748-0221.
Datum vydání: 2020
Nakladatel: IOP Publishing
Typ dokumentu: článek
article
URI: 2-s2.0-85084180824
http://hdl.handle.net/11025/39571
ISSN: 1748-0221
Klíčová slova v dalším jazyce: cryogenic detectors;photon detectors for UV;visible and IR photons;PIN diodes;APDs;Si-PMTs;G-APDs;CCDs;EBCCDs;EMCCDs;CMOS imagers
Abstrakt v dalším jazyce: The performances of silicon photomultipliers with different structures are investigated at low temperature.The first sample is a micro pixel avalanche photodiode with deep buried pixel structure from Zecotek Photonics Inc. The second and third ones are multi-pixel photo counters with a surface pixel design from Hamamatsu Photonics. The influence of temperature on the main parameters of the photodiodes such as photon detection efficiency (PDE), gain, and capacitance was studied in the temperature range from 0C to -120C.
Práva: Plný text je přístupný v rámci univerzity přihlášeným uživatelům.
© IOP Publishing
Vyskytuje se v kolekcích:Články / Articles (KAE)
OBD



Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam: http://hdl.handle.net/11025/39571

Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.

hledání
navigace
  1. DSpace at University of West Bohemia
  2. Publikační činnost / Publications
  3. OBD