| Název: | Microscale comparison of solar cell recombination centers |
| Autoři: | Škarvada, Pavel Tománek, Pavel Koktavý, Pavel |
| Citace zdrojového dokumentu: | Electroscope. 2011, č. 4, EDS 2011. |
| Datum vydání: | 2011 |
| Nakladatel: | Západočeská univerzita v Plzni, Fakulta elektrotechnická |
| Typ dokumentu: | konferenční příspěvek conferenceObject |
| URI: | http://147.228.94.30/images/PDF/Rocnik2011/Cislo4_2011/r5c4c6.pdf http://hdl.handle.net/11025/625 |
| ISSN: | 1802-4564 |
| Klíčová slova: | solární články;silikon;defekty;rastrovací sondová mikroskopie |
| Klíčová slova v dalším jazyce: | sollar cells;silicon;defects;scanning probe microscope |
| Abstrakt v dalším jazyce: | The aim of this work is an experimental microscale comparison of several imperfection types of silicon solar cells which emit visible light under reverse bias condition. The setup with scanning probe microscope (SPM) and sensitive detector is used for the measurement of light emission in microscale. Used SPM allows a measurement of Light Beam Induced Current (LBIC) with high spatial resolution together with sample topography. Due to a number of observed defects that have no correlation with surface topography, we have found out that there are also defects having strong correlation with surface topography. In the most cases, investigated inhomogeneites could not be localized via light induced beam technique. |
| Práva: | Copyright © 2007-2010 Electroscope. All Rights Reserved. |
| Vyskytuje se v kolekcích: | Číslo 4 - EDS 2011 (2011) Číslo 4 - EDS 2011 (2011) |
Soubory připojené k záznamu:
| Soubor | Popis | Velikost | Formát | |
|---|---|---|---|---|
| r5c4c6.pdf | 282,82 kB | Adobe PDF | Zobrazit/otevřít |
Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam:
http://hdl.handle.net/11025/625Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.