Název: Investigation of memristors’ own parasitic parameters and mutual inductances between neighbouring elements of memristor matrix and their influence on the characteristics
Autoři: Mladenov, Valeri
Kirilov, Stoyan
Citace zdrojového dokumentu: ISTET 2013: International Symposiumon Theoretical Electrical Engineering: 24th – 26th June 2013: Pilsen, Czech Republic, p. II-13-II-14.
Datum vydání: 2013
Nakladatel: University of West Bohemia
Typ dokumentu: conferenceObject
konferenční příspěvek
URI: http://hdl.handle.net/11025/11477
ISBN: 978-80-261-0246-5
Klíčová slova: TiO2 memristor;parazitické parametry;vzájemná indukčnost;vlastnosti memristorů
Klíčová slova v dalším jazyce: TiO2 memristor;parasitic parameters;mutual inductance;memristor characteristics
Abstrakt: The main purpose of this paper is to investigate the influence of the mutual inductance between the memristors of a memory matrix and of the memristor parasitic parameters on their characteristics at impulse mode. The values of the parasitic capacitance and inductance of a memristor are calculated. In the experiments three possible values of the coefficient of magnetic connection between elements are used. The equivalent memristor circuit is analysed in MATLAB environment. The basic effects from the analysis are given. The main result is that the parasitic parameters do not strongly affect the memristor voltage drops at frequencies up to 2 GHz.
Práva: © University of West Bohemia
Vyskytuje se v kolekcích:ISTET 2013

Soubory připojené k záznamu:
Soubor Popis VelikostFormát 
Mladenov_1.pdfPlný text70,31 kBAdobe PDFZobrazit/otevřít


Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam: http://hdl.handle.net/11025/11477

Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.