Elektronická struktura a optické vlastnosti zředěných boron-bismidových kvartérních slitin BxGa1-xAs1-yBiy / GaAs pro infračervené optoelektronické přístroje

Assali, Abdenacer; Bouslama, M'hamed; Al-Jaary, Ali H. Reshak; Zerroug, Samir; Abid, Hamza

Full metadata record

DC pole	Hodnota	Jazyk
dc.contributor.author	Assali, Abdenacer
dc.contributor.author	Bouslama, M'hamed
dc.contributor.author	Al-Jaary, Ali H. Reshak
dc.contributor.author	Zerroug, Samir
dc.contributor.author	Abid, Hamza
dc.date.accessioned	2018-02-21T11:35:21Z
dc.date.available	2018-02-21T11:35:21Z
dc.date.issued	2017
dc.identifier.citation	ASSALI, A., BOUSLAMA, M., AL-JAARY, A. H. R., ZERROUG, S., ABID, H. Electronic structure and optical properties of dilute boron-bismide quaternary alloys BxGa1–xAs1–yBiy/GaAs for infrared optoelectronic devices. Optik, 2017, roč. 135, č. 1 April 2017, s. 57-69. ISSN 0030-4026.	en
dc.identifier.issn	0030-4026
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11025/29213
dc.description.abstract	Elektronická struktura a optické vlastnosti zředěných boron-bismidových kvartérních slitin BxGa1-xAs1-yBiy byly zkoumány metodou prvních pricipů	cs
dc.format	13 s.	cs
dc.format.mimetype	application/pdf
dc.language.iso	en	en
dc.publisher	Urban and Fischer	en
dc.relation.ispartofseries	Optik	cs
dc.rights	Plný text není přístupný.	cs
dc.rights	© Urban and Fischer	en
dc.subject	BGaAsBi / GaAs	cs
dc.subject	Infračervené optoelektronické přístroje	cs
dc.subject	DFT teorie	cs
dc.subject	Elektronická struktura	cs
dc.subject	Optické konstanty	cs
dc.title	Elektronická struktura a optické vlastnosti zředěných boron-bismidových kvartérních slitin BxGa1-xAs1-yBiy / GaAs pro infračervené optoelektronické přístroje	cs
dc.title	Electronic structure and optical properties of dilute boron-bismide quaternary alloys BxGa1–xAs1–yBiy/GaAs for infrared optoelectronic devices	en
dc.type	článek	cs
dc.type	article	en
dc.rights.access	closedAccess	en
dc.type.version	publishedVersion	en
dc.description.abstract-translated	Electronic structure and optical properties of the dilute boron-bismide quaternary BxGa1−xAs1−yBiy alloys have been investigated from first-principles	en
dc.subject.translated	BGaAsBi/GaAs	en
dc.subject.translated	Infrared optoelectronic devices	en
dc.subject.translated	DFT theory	en
dc.subject.translated	Electronic structure	en
dc.subject.translated	Optical constants	en
dc.identifier.doi	10.1016/j.ijleo.2017.01.059
dc.type.status	Peer-reviewed	en
dc.identifier.obd	43918893
dc.project.ID	ED2.1.00/03.0088/CENTEM - Centrum nových technologií a materiálů	cs
dc.project.ID	LO1402/CENTEM+	cs
Vyskytuje se v kolekcích:	Články / Articles (CTM) OBD

Soubory připojené k záznamu:

Soubor	Velikost	Formát
Ali-BGaAsBiGaAs-Optik-17.pdf	1,74 MB	Adobe PDF	Zobrazit/otevřít Vyžádat kopii

Zobrazit minimální záznam Zobrazit statistiky

Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam: http://hdl.handle.net/11025/29213

Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.

hledání

navigace