Full metadata record
DC poleHodnotaJazyk
dc.contributor.authorYousaf, Naveed
dc.contributor.authorKhan, Wilayat
dc.contributor.authorKhan, Shah Haider
dc.contributor.authorYaseen, Maria
dc.contributor.authorLaref, Amel
dc.contributor.authorMurtaza, Ghulam M.
dc.date.accessioned2018-04-04T09:03:51Z-
dc.date.available2018-04-04T09:03:51Z-
dc.date.issued2018
dc.identifier.citationYOUSAF, N., KHAN, W., KHAN, S. H., YASEEN, M., LAREF, A., MURTAZA, G. M. Electronic, optical and thermoelectric properties of SnGa2GeX6 (X = S, Se) compounds. Journal of alloys and compounds, 2018, roč. 737, č. MAR 15 2018;, s. 637-645. ISSN 0925-8388.en
dc.identifier.issn0925-8388
dc.identifier.uri2-s2.0-85038090032
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11025/29489
dc.description.abstractElektronické, optické a termoelektrické vlastnosti dvou kvartérních chalcogenidů SnGa2GeX6 (X = S, Se) byly studovány pomocí funkční teorie hustoty. Modifikovaný výměnný potenciál Becke-Johnson (mBJGGA) byl použit k výpočtu pásových mezer těchto sloučenin. Obě sloučeniny vykazují přímé zakázané pásmo 1,74 a 1,24 eV pro SnGa2GeS6 a SnGa2GeSe6. Zakázané pásmo klesá při nahrazení kationtů X ze S do Se. Optické vlastnosti, jako je dielektrická funkce, ztráta energie, koeficient rozšíření, index lomu a odrazivost těchto sloučenin. Termoelektrické vlastnosti jsou zkoumány pomocí Boltzmannovy statistiky pomocí kódu BoltzTrap. Vysoké absorpční špičky a hodnoty (ZT) pro obě sloučeniny odhalují, že jsou dobrými kandidáty na optoelektroniku a termoelektrická zařízení.cs
dc.format9 s.cs
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.language.isoenen
dc.publisherElsevieren
dc.rightsPlný text není přístupný.cs
dc.rights© Elsevieren
dc.subjectPolovodičecs
dc.subjectStruktura pásmacs
dc.subjectOptická odezvacs
dc.subjectTermoelektrickýcs
dc.titleElektronické, optické a termoelektrické vlastnosti sloučenin SnGa2GeX6 (X = S, Se)cs
dc.titleElectronic, optical and thermoelectric properties of SnGa2GeX6 (X = S, Se) compoundsen
dc.typečlánekcs
dc.typearticleen
dc.rights.accessclosedAccessen
dc.type.versionpublishedVersionen
dc.description.abstract-translatedElectronic, optical and thermo-electric properties of two quaternary chalcogenides SnGa2GeX6 (X = S, Se) have been studied by using density functional theory. Modified Becke-Johnson exchange potential (mBJGGA) was used to calculate the band gaps of these compounds. Both compounds show pseudo direct band gap of 1.74 and 1.24 eV for SnGa2GeS6 and SnGa2GeSe6, respectively. The band gap decreases when replacing the X cations from S to Se. The optical properties such as dielectric function, energy loss function, extension coefficient, refractive index, and reflectivity of these compounds are discussed in details. The thermo-electric properties are studied using Boltzmann statistics through BoltzTrap code. High absorption peaks and figure of merits (ZT) for both compounds reveal that they are good candidates for the optoelectronics and thermo-electric devices.en
dc.subject.translatedSemiconductorsen
dc.subject.translatedBand structureen
dc.subject.translatedOptical responseen
dc.subject.translatedThermoelectricen
dc.identifier.doi10.1016/j.jallcom.2017.12.033
dc.type.statusPeer-revieweden
dc.identifier.document-number419212900077
dc.identifier.obd43921417
dc.project.IDinfo:eu-repo/grantAgreetment/EC/Výpočetní a experimentální design pokročilých materiálů s novými funkcionalitami /CZ.02.1.01/0.0/0.0/15_003/0000358cs
Vyskytuje se v kolekcích:OpenAire
Články / Articles (CTM)
OBD

Soubory připojené k záznamu:
Soubor VelikostFormát 
SnGa2GeX6.pdf3,71 MBAdobe PDFZobrazit/otevřít  Vyžádat kopii
Zobrazit minimální záznam Zobrazit statistiky


Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam: http://hdl.handle.net/11025/29489

Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.

hledání
navigace
  1. DSpace at University of West Bohemia
  2. Publikační činnost / Publications
  3. OBD