| Název: | Local geometry around B atoms in B/Si(111) from polarized x-ray absorption spectroscopy |
| Další názvy: | Lokální geometrie kolem B atomů v B/Si(111) z polarizované rentgenové absorpční spektroskopie |
| Autoři: | Khan, Saleem Ayaz Vondráček, Martin Blaha, Peter Horáková, Kateřina Minár, Jan Šipr, Ondřej Cháb, Vladimír |
| Citace zdrojového dokumentu: | KHAN, S. A., VONDRÁČEK, M., BLAHA, P., HORÁKOVÁ, K., MINÁR, J., ŠIPR, O., CHÁB, V. Local geometry around B atoms in B/Si(111) from polarized x-ray absorption spectroscopy. Journal of physics-condensed matter, 2020, roč. 32, č. 4. ISSN 0953-8984. |
| Datum vydání: | 2020 |
| Nakladatel: | IOP Publishing |
| Typ dokumentu: | článek article |
| URI: | 2-s2.0-85075814264 http://hdl.handle.net/11025/37029 |
| ISSN: | 0953-8984 |
| Klíčová slova: | ab initio;strukturní analýza;XAS |
| Klíčová slova v dalším jazyce: | ab initio;structure analysis;XAS |
| Abstrakt: | Uspořádání atomů B v dopovaném systému Si(111)-( √ 3 × √ 3)R30◦:B bylo studováno za použití jemné struktury rentgenové absorpce blízko okraje (NEXAFS). Atomy boru byly deponovány segregací z objemu opakovaným blikáním vzorku. Pozice atomů B se stanoví porovnáním měřených polarizovaných (závislých na úhlu) NEXAFS spekter se spektry vypočtenými pro různé strukturální modely na základě výpočtu celkové energie ab initio. Zjistilo se, že většina atomů boru je umístěna v podpovrchových polohách Lc1, pod atomem Si. Avšak v závislosti na metodě přípravy může být významná část atomů B umístěna jinde. Možné umístění těchto ne-Lc1-atomů je na povrchu, vedle těch atomů Si, které tvoří rekonstrukci ( √ 3 × √ 3)R30◦. |
| Abstrakt v dalším jazyce: | The arrangement of B atoms in a doped Si(111)-( √ 3 × √ 3)R30◦:B system was studied using a near-edge x-ray absorption fine structure (NEXAFS). Boron atoms were deposited via segregation from the bulk by flashing the sample repeatedly. The positions of B atoms are determined by comparing measured polarized (angle-dependent) NEXAFS spectra with spectra calculated for various structural models based on ab initio total energy calculations. It is found that most of boron atoms are located in sub-surface Lc1 positions, beneath a Si atom. However, depending on the preparation method a significant portion of B atoms may be located elsewhere. A possible location of these non-Lc1-atoms is at the surface, next to those Si atoms which form the ( √ 3 × √ 3)R30◦ reconstruction. |
| Práva: | Plný text není přístupný. © IOP Publishing |
| Vyskytuje se v kolekcích: | Články / Articles OBD |
Soubory připojené k záznamu:
| Soubor | Velikost | Formát | |
|---|---|---|---|
| B-Si111.pdf | 872,51 kB | Adobe PDF | Zobrazit/otevřít Vyžádat kopii |
Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam:
http://hdl.handle.net/11025/37029Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.