Full metadata record
DC poleHodnotaJazyk
dc.contributor.authorKuruc, Marián
dc.contributor.authorHulényi, Ladislav
dc.contributor.authorKinder, Rudolf
dc.contributor.editorPihera, Josef
dc.contributor.editorSteiner, František
dc.date.accessioned2012-10-08T12:07:06Z
dc.date.available2012-10-08T12:07:06Z
dc.date.issued2008
dc.identifier.citationElectroscope. 2008, Konference EDS 2008.cs
dc.identifier.citationEDS '08 IMAPS CS International Conference Proceedings. Brno, VUT v Brně, 2008.cs
dc.identifier.isbn978-80-214-3717-3
dc.identifier.issn1802-4564
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11025/519
dc.identifier.urihttp://147.228.94.30/images/PDF/Rocnik2008/EDS_2008/hulenyi.pdf
dc.description.abstractPři využívaní iontového implantátora pro různé prvky (bór, fosfor, arzén, antimon) může docházet ke kontaminaci nežádoucím prvkem. Zvláštní pozornost je potřebné věnovat zabránění fosforové kontaminaci při implantaci arzénu a antimonu. Uvedená metoda na monitorování úrovně fosforové kontaminace při arzénové implantaci je alternativou k SIMS (Secondary Ion Mass Spectrometry). Tato metoda kombinuje využití simulace a metody odporu šíření SRP (spreading resistance profiling) k určování fosforové kontaminace při arzénové implantaci po difuzním procesu. Monitorování bylo uskutečněno pro vysokodávkovou implantaci arzénu. Pomocí programu SUPREM byl vytvořen teoretický model, který umožňuje určit vliv různých dávek fosforové kontaminace v arzénové implantaci. Tento model byl následně validován pomocí SIMS a SRP měření. Uveden je vliv různých úrovní fosforové kontaminace (až po 1014 cm-2 dávky fosforu) na profil volných nosičů náboje který byl pozorován při provoze iontového implantátora. Taktéž je uveden konverzní graf, pomocí kterého lze z hloubky p-n přechodu měřeného metodou SRP určit dávku kontaminace fosforem. Experimentální výsledky ukázaly dobrou shodu mezi SIMS daty a navrhovanou SRP metodou. Tato SRP metoda může být použitá pro detekci dávek fosforu až po 1012 cm-2 a představuje levnější metodu na kontrolu fosforové kontaminace v arzénové implantaci než SIMS.cs
dc.format6 s.cs
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.language.isoenen
dc.publisherZápadočeská univerzita v Plzni, Fakulta elektrotechnickács
dc.relation.ispartofseriesElectroscopecs
dc.rightsCopyright © 2007-2010 Electroscope. All Rights Reserved.en
dc.subjectmonitorovánícs
dc.subjectfosforová kontaminacecs
dc.subjectsekundární iontová hmotnostní spektrometriecs
dc.subjectarzénová implementacecs
dc.titleMonitoring of phosphorus cross-contamination in ion implantation of arsenic by spreading resistanceen
dc.typekonferenční příspěvekcs
dc.typeconferenceObjecten
dc.rights.accessopenAccessen
dc.type.versionpublishedVersionen
dc.subject.translatedmonitoringen
dc.subject.translatedphosphorus cross-contaminationen
dc.subject.translatedsecondary ion mass spectrometryen
dc.subject.translatedarsenic implementationen
dc.type.statusPeer-revieweden
Vyskytuje se v kolekcích:2008
Konference EDS 2008 (2008)

Soubory připojené k záznamu:
Soubor Popis VelikostFormát 
hulenyi.pdf326,15 kBAdobe PDFZobrazit/otevřít
Zobrazit minimální záznam Zobrazit statistiky


Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam: http://hdl.handle.net/11025/519

Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.

hledání
navigace
  1. DSpace at University of West Bohemia
  2. Publikace ZČU / UWB Publications
  3. Časopisy ZČU / UWB Journals
  4. Electroscope
  5. Ročník 2008
  6. Konference EDS 2008 (2008)