Název: Waffle MOS channel aspect ratio calculation with Schwarz-Christoffel transformation
Autoři: Vacula, Patrik
Husák, Miroslav
Citace zdrojového dokumentu: Electroscope. 2013, č. 5, EEICT + EDS.
Datum vydání: 18-lis-2013
Nakladatel: Západočeská univerzita v Plzni, Fakulta elektrotechnická
Typ dokumentu: article
článek
URI: http://ek702p10-ket.fel.zcu.cz/images/PDF/Rocnik2013/Cislo5_2013/r7c5c11.pdf
http://hdl.handle.net/11025/6626
ISSN: 1802-4564
Klíčová slova: Schwarz-Christoffelova transformace;numerické modelování;tranzistory MOS;MOS kanál
Klíčová slova v dalším jazyce: Schwarz-Christoffel transformation;numerical modelling;MOS transistors;MOS channel
Abstrakt: The main goal of this work is to describe alternative way of effective channel width to length (W/L) ratio calculation for Waffle MOS structure. Due to non-conventional gate geometry of the Waffle MOS transistor compare to the fingers structure, the channel W/L ratio calculation is not trivial and conformal mapping can be used. In terms of mapping the Schwarz-Christoffel (SC) Transformation is proposed. The optimal element shape of the Waffle MOS is proposed, to be easy solved by SC conformal mapping. Because result of the conformal mapping for the Waffle MOS element is rectangle shape in transformed domain, the solving of the effective channel W/L ratio of the element is become very easy because it is aspect ratio of rectangle in transformed domain.
Práva: © 2013 Electroscope. All rights reserved.
Vyskytuje se v kolekcích:Číslo 5 (2013)
Číslo 5 (2013)

Soubory připojené k záznamu:
Soubor Popis VelikostFormát 
r7c5c12.pdfPlný text633,04 kBAdobe PDFZobrazit/otevřít


Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam: http://hdl.handle.net/11025/6626

Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.