Název: ESD MOSFET model calibration by differential evolutionary optimization algorithm
Autoři: Nápravník, Tomáš
Jakovenko, Jiří
Citace zdrojového dokumentu: Electroscope. 2012, č. 6, EDS 2012.
Datum vydání: 31-pro-2012
Nakladatel: Západočeská univerzita v Plzni, Fakulta elektrotechnická
Typ dokumentu: article
článek
článek z konference
conferenceObject
URI: http://hdl.handle.net/11025/1043
http://147.228.94.30/images/PDF/Rocnik2012/Cislo6_2012/r6c6c2.pdf
ISSN: 1802-4564
Klíčová slova: difereciální evoluční algoritmus;kalibrace modelu
Klíčová slova v dalším jazyce: differential evolutionary optimization algorithm;model calibration
Abstrakt: Článek prezentuje možnost využití difereciálního evolučního algoritmu ke kalibraci modelu ESD prvku na naměřená data bez nutnosti manuálního ladění parametrů tohoto modelu. Standardní přístup manuálního ladění modelu je ve srovnání s představenou metodou časově náročnější a vyžaduje dedikovaného specialistu. Zde představený přístup nebyl dle znalosti autorů dosud použit. Na úvod je vysvětlen princip funkce ESD NMOST ochrany a jejich vlastností, na což navazuje krátký popis diferenčního evolučního optimalizačního algoritmu. Na závěr jsou uvedeny výsledky kalibrace technologicky optimalizovaného makro-modelu NMOS tranzistoru na empirické, po částech lineární V-A characteristiky.
Abstrakt v dalším jazyce: The aim of this paper is to present the utilization of modern optimization algorithm called Differential Evolution to automatically fit the measured data from test chip to the appropriate electrostatic discharge (ESD) model without the need of manual model-parameters tuning. In contrast with proposed method the traditional approach can be very time and resource consuming. To the best knowledge of the authors, this novel approach has never been previously used. Short introduction to ESD NMOST function and properties are presented along with basic overview of differential evolutionary optimization algorithm. Results of fitting the technology-optimized macro-model of NMOST to the simple piece-wise linear model of MOSFET snapback I-V characteristic will be presented.
Práva: © 2012 Electroscope. All rights reserved.
Vyskytuje se v kolekcích:Číslo 6 - EDS 2012 (2012)
Číslo 6 - EDS 2012 (2012)

Soubory připojené k záznamu:
Soubor Popis VelikostFormát 
r6c6c2.pdf1,43 MBAdobe PDFZobrazit/otevřít


Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam: http://hdl.handle.net/11025/1043

Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.