| Název: | Elektronické, optické a termoelektrické vlastnosti sloučenin SnGa2GeX6 (X = S, Se) Electronic, optical and thermoelectric properties of SnGa2GeX6 (X = S, Se) compounds |
| Autoři: | Yousaf, Naveed Khan, Wilayat Khan, Shah Haider Yaseen, Maria Laref, Amel Murtaza, Ghulam M. |
| Citace zdrojového dokumentu: | YOUSAF, N., KHAN, W., KHAN, S. H., YASEEN, M., LAREF, A., MURTAZA, G. M. Electronic, optical and thermoelectric properties of SnGa2GeX6 (X = S, Se) compounds. Journal of alloys and compounds, 2018, roč. 737, č. MAR 15 2018;, s. 637-645. ISSN 0925-8388. |
| Datum vydání: | 2018 |
| Nakladatel: | Elsevier |
| Typ dokumentu: | článek article |
| URI: | 2-s2.0-85038090032 http://hdl.handle.net/11025/29489 |
| ISSN: | 0925-8388 |
| Klíčová slova: | Polovodiče;Struktura pásma;Optická odezva;Termoelektrický |
| Klíčová slova v dalším jazyce: | Semiconductors;Band structure;Optical response;Thermoelectric |
| Abstrakt: | Elektronické, optické a termoelektrické vlastnosti dvou kvartérních chalcogenidů SnGa2GeX6 (X = S, Se) byly studovány pomocí funkční teorie hustoty. Modifikovaný výměnný potenciál Becke-Johnson (mBJGGA) byl použit k výpočtu pásových mezer těchto sloučenin. Obě sloučeniny vykazují přímé zakázané pásmo 1,74 a 1,24 eV pro SnGa2GeS6 a SnGa2GeSe6. Zakázané pásmo klesá při nahrazení kationtů X ze S do Se. Optické vlastnosti, jako je dielektrická funkce, ztráta energie, koeficient rozšíření, index lomu a odrazivost těchto sloučenin. Termoelektrické vlastnosti jsou zkoumány pomocí Boltzmannovy statistiky pomocí kódu BoltzTrap. Vysoké absorpční špičky a hodnoty (ZT) pro obě sloučeniny odhalují, že jsou dobrými kandidáty na optoelektroniku a termoelektrická zařízení. |
| Abstrakt v dalším jazyce: | Electronic, optical and thermo-electric properties of two quaternary chalcogenides SnGa2GeX6 (X = S, Se) have been studied by using density functional theory. Modified Becke-Johnson exchange potential (mBJGGA) was used to calculate the band gaps of these compounds. Both compounds show pseudo direct band gap of 1.74 and 1.24 eV for SnGa2GeS6 and SnGa2GeSe6, respectively. The band gap decreases when replacing the X cations from S to Se. The optical properties such as dielectric function, energy loss function, extension coefficient, refractive index, and reflectivity of these compounds are discussed in details. The thermo-electric properties are studied using Boltzmann statistics through BoltzTrap code. High absorption peaks and figure of merits (ZT) for both compounds reveal that they are good candidates for the optoelectronics and thermo-electric devices. |
| Práva: | Plný text není přístupný. © Elsevier |
| Vyskytuje se v kolekcích: | OpenAire Články / Articles (CTM) OBD |
Soubory připojené k záznamu:
| Soubor | Velikost | Formát | |
|---|---|---|---|
| SnGa2GeX6.pdf | 3,71 MB | Adobe PDF | Zobrazit/otevřít Vyžádat kopii |
Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam:
http://hdl.handle.net/11025/29489Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.