Title: Fabrication and Characterization of a p-AgO/PSi/n-Si Heterojunction for Solar Cell Applications
Other Titles: Výroba a charakteristika p-AgO/PSi/n-Si heterizace pro aplikaci u solárních článků
Authors: Habubi, Nadir F.
Abd, Ahmed N.
Dawood, Mohammed O.
Al-Jaary, Ali H. Reshak
Citation: HABUBI, N. F., ABD, A. N., DAWOOD, M. O., AL-JAARY, A. H. R. Fabrication and Characterization of a p-AgO/PSi/n-Si Heterojunction for Solar Cell Applications. Silicon, 2018, roč. 10, č. 2, s. 371-376. ISSN 1876-990X.
Issue Date: 2018
Publisher: Springer
Document type: článek
URI: 2-s2.0-84988383404
ISSN: 1876-990X
Keywords: AgO;tepelná oxidace;Lifetime;Hetero Diode;XRD;AFM;SEM
Keywords in different language: AgO;Thermal oxidation;Lifetime;Heterodiode;XRD;AFM;SEM
Abstract: P-AgO / psi / n-Si heterojunction byl vyroben pomocí vysokého vakua tepelným odpařováním stříbra a podrobením tepelné oxidaci při 300 ◦C porézního křemíku.
Abstract in different language: A p-AgO/PSi/n-Si heterojunction was deposited by high vacuum thermal evaporation of silver subjected to thermal oxidation at 300 ◦C on porous silicon.
Rights: Plný text není přístupný.
© Springer
Appears in Collections:Články / Articles (CTM)

Files in This Item:
File SizeFormat 
Ali-p-Ago-Silicon-16.pdf1,31 MBAdobe PDFView/Open    Request a copy

Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/11025/31120

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.

  1. DSpace at University of West Bohemia
  2. Publikační činnost / Publications
  3. OBD