Transition radiation measurements with a Si and a GaAs pixel sensor on a Timepix3 chip

Dachs, F.; Alozy, J.; Belyaev, N.; Bergmann, B. L.; Beuzekom, M. van; Billoud, T. R. V.; Burian, Petr; Broulím, Pavel; Campbell, M.; Chelkov, G.; Cherry, M.; Doronin, S.; Filippov, K.; Fusco, P.; Gargano, F.; Heijden, B. van der; Heijne, E. H. N.; Konovalov, S.; Cudie, X. L.; Loparco, F.; Mascagna, V.; Mazziotta, M. N.; Meduna, L.; Pernegger, H.; Ponomarenko, D.; Pospíšil, S.; Prest, M.; Rembser, C.; Romaniouk, A.; Savchenko, A. A.; Schaefer, D.; Schioppa, E. J.; Sergeeva, D.; Shchukin, D.; Shulga, E.; Smirnov, S.; Smirnov, Y.; Smolyanskiy, P.; Soldani, M.; Spinelli, P.; Strikhanov, M.; Teterin, P.; Tikhomirov, V.; Tishchenko, A.A.; Vallazza, E.; Vorobev, K.; Zhukov, K.

Název:	Transition radiation measurements with a Si and a GaAs pixel sensor on a Timepix3 chip
Autoři:	Dachs, F. Alozy, J. Belyaev, N. Bergmann, B. L. Beuzekom, M. van Billoud, T. R. V. Burian, Petr Broulím, Pavel Campbell, M. Chelkov, G. Cherry, M. Doronin, S. Filippov, K. Fusco, P. Gargano, F. Heijden, B. van der Heijne, E. H. N. Konovalov, S. Cudie, X. L. Loparco, F. Mascagna, V. Mazziotta, M. N. Meduna, L. Pernegger, H. Ponomarenko, D. Pospíšil, S. Prest, M. Rembser, C. Romaniouk, A. Savchenko, A. A. Schaefer, D. Schioppa, E. J. Sergeeva, D. Shchukin, D. Shulga, E. Smirnov, S. Smirnov, Y. Smolyanskiy, P. Soldani, M. Spinelli, P. Strikhanov, M. Teterin, P. Tikhomirov, V. Tishchenko, A.A. Vallazza, E. Vorobev, K. Zhukov, K.
Citace zdrojového dokumentu:	DACHS, F., ALOZY, J., BELYAEV, N., BERGMANN, BL., BEUZEKOM, MV., BILLOUD, TRV., BURIAN, P., BROULÍM, P., CAMPBELL, M., CHELKOV, G., CHERRY, M., DORONIN, S., FILIPPOV, K., FUSCO, P., GARGANO, F., HEIJDEN, BVD., HEIJNE, EHN., KONOVALOV, S., CUDIE, XL., LOPARCO, F., MASCAGNA, V., MAZZIOTTA, MN., MEDUNA, L., PERNEGGER, H., PONOMARENKO, D., POSPÍŠIL, S., PREST, M., REMBSER, C., ROMANIOUK, A., SAVCHENKO, AA., SCHAEFER, D., SCHIOPPA, EJ., SERGEEVA, D., SHCHUKIN, D., SHULGA, E., SMIRNOV, S., SMIRNOV, Y., SMOLYANSKIY, P., SOLDANI, M., SPINELLI, P., STRIKHANOV, M., TETERIN, P., TIKHOMIROV, V., TISHCHENKO, A., VALLAZZA, E., VOROBEV, K., ZHUKOV, K. Transition radiation measurements with a Si and a GaAs pixel sensor on a Timepix3 chip. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, A, 2020, roč. 958, č. 1. April 2020, s. 1-4. ISSN 0168-9002.
Datum vydání:	2020
Nakladatel:	Elsevier
Typ dokumentu:	článek article
URI:	2-s2.0-85063760451 http://hdl.handle.net/11025/39604
ISSN:	0168-9002
Klíčová slova v dalším jazyce:	transition radiation;Timepix3;Gallium arsenide;silicon
Abstrakt v dalším jazyce:	Growing energies of particles at modern or planned particle accelerator experiments as well as cosmic rayexperiments require particle identification at gamma-factors (𝛾) of up to∼105. At present there are no detectorscapable of identifying charged particles with reliable efficiency in this range of𝛾. New developments in highgranular pixel detectors allow one to perform simultaneous measurements of the energies and the emissionangles of generated transition radiation (TR) X-rays and use the maximum available information to identifyparticles. First results of studies of TR energy-angular distributions using gallium arsenide (GaAs) sensorsbonded to Timepix3 chips are presented. The results are compared with those obtained using a silicon (Si)sensor of the same thickness of 500μm. The analysis techniques used for these experiments are discussed.
Práva:	Plný text je přístupný v rámci univerzity přihlášeným uživatelům. © Elsevier
Vyskytuje se v kolekcích:	Články / Articles (RICE) Články / Articles (KAE) OBD

Soubory připojené k záznamu:

Soubor	Velikost	Formát
Burian_1-s2.0-S0168900219304346-main.pdf	976,43 kB	Adobe PDF	Zobrazit/otevřít Vyžádat kopii

Zobrazit celý záznam Zobrazit statistiky

Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam: http://hdl.handle.net/11025/39604

Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.

hledání

navigace