| Název: | Temperature-Dependent Hall Effect Studies of AZO Thin Films |
| Autoři: | Nedvědová, Lucie Novák, Petr Jansa, Zdeněk Minár, Jan |
| Citace zdrojového dokumentu: | NEDVĚDOVÁ, L. NOVÁK, P. JANSA, Z. MINÁR, J. Temperature-Dependent Hall Effect Studies of AZO Thin Films. In 26th International Conference on Applied Physics of Condensed Matter (APCOM). Strbske Pleso: AIP Conference Proceedings, 2021. s. nestránkováno. ISBN: 978-0-7354-4138-5 , ISSN: 0094-243X |
| Datum vydání: | 2021 |
| Nakladatel: | AIP Conference Proceedings |
| Typ dokumentu: | konferenční příspěvek ConferenceObject |
| URI: | 2-s2.0-85118859139 http://hdl.handle.net/11025/51487 |
| ISBN: | 978-0-7354-4138-5 |
| ISSN: | 0094-243X |
| Klíčová slova v dalším jazyce: | DOPED ZNO |
| Abstrakt v dalším jazyce: | Understanding of how the defects interact with each other and affect the properties of ZnO:Al thin films is one of great importance for improving their performance as a transparent conductive oxide. In the present work we studied the effect of annealing on the carrier concentration and Hall mobility of under-stoichiometric ZnO:Al films. Samples have been deposited by magnetron rf and dc co-sputtering from ceramic and metallic targets with the same Zn(98%)/Al(2%) concentration. Raman spectra taken prior and after temperature-dependent Hall measurements, fulfilled the understanding of the mosaic of defect changes. |
| Práva: | Plný text není přístupný. © authors |
| Vyskytuje se v kolekcích: | Konferenční příspěvky / Conference papers (RAM) OBD |
Soubory připojené k záznamu:
| Soubor | Velikost | Formát | |
|---|---|---|---|
| PNJM21_Prusakova_APCOM21.pdf | 563,31 kB | Adobe PDF | Zobrazit/otevřít Vyžádat kopii |
Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam:
http://hdl.handle.net/11025/51487Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.