| Název: | Substrate Preparation for Manufacturing of Aluminum Nitride Layers |
| Autoři: | Dallaeva, Dinara Tománek, Pavel |
| Citace zdrojového dokumentu: | Electroscope. 2013, č. 5, EEICT + EDS. |
| Datum vydání: | 2013 |
| Nakladatel: | Západočeská univerzita v Plzni, Fakulta elektrotechnická |
| Typ dokumentu: | článek article |
| URI: | http://147.228.94.30/images/PDF/Rocnik2013/Cislo5_2013/r7c5c2.pdf http://hdl.handle.net/11025/6618 |
| ISSN: | 1802-4564 |
| Klíčová slova: | tenké vrstvy;depozice;nitridy hliníku;suché leptání;zkoušení materiálu |
| Klíčová slova v dalším jazyce: | thin films;deposition;alluminium nitrids;dry etching;material testing |
| Abstrakt v dalším jazyce: | Aluminum nitrides layers prepared on sapphire substrates are examined. The substrate surface was treated by dry plasma etching. The morphology of aluminum nitride thin films was studied by atomic force microscopy. Lateral force atomic force microscopy was used to study the morphology heterogeneity. The dependence of films morphology on the formation conditions has been defined. The objective of the study contributes to the improvement of technological process of dry etching and film deposition. |
| Práva: | © 2013 Electroscope. All rights reserved. |
| Vyskytuje se v kolekcích: | Číslo 5 (2013) Číslo 5 (2013) |
Soubory připojené k záznamu:
| Soubor | Popis | Velikost | Formát | |
|---|---|---|---|---|
| r7c5c2.pdf | Plný text | 737,42 kB | Adobe PDF | Zobrazit/otevřít |
Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam:
http://hdl.handle.net/11025/6618Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.