Název: Substrate Preparation for Manufacturing of Aluminum Nitride Layers
Autoři: Dallaeva, Dinara
Tománek, Pavel
Citace zdrojového dokumentu: Electroscope. 2013, č. 5, EEICT + EDS.
Datum vydání: 18-lis-2013
Nakladatel: Západočeská univerzita v Plzni, Fakulta elektrotechnická
Typ dokumentu: article
článek
URI: http://147.228.94.30/images/PDF/Rocnik2013/Cislo5_2013/r7c5c2.pdf
http://hdl.handle.net/11025/6618
ISSN: 1802-4564
Klíčová slova: tenké vrstvy;depozice;nitridy hliníku;suché leptání;zkoušení materiálu
Klíčová slova v dalším jazyce: thin films;deposition;alluminium nitrids;dry etching;material testing
Abstrakt: Aluminum nitrides layers prepared on sapphire substrates are examined. The substrate surface was treated by dry plasma etching. The morphology of aluminum nitride thin films was studied by atomic force microscopy. Lateral force atomic force microscopy was used to study the morphology heterogeneity. The dependence of films morphology on the formation conditions has been defined. The objective of the study contributes to the improvement of technological process of dry etching and film deposition.
Práva: © 2013 Electroscope. All rights reserved.
Vyskytuje se v kolekcích:Číslo 5 (2013)
Číslo 5 (2013)

Soubory připojené k záznamu:
Soubor Popis VelikostFormát 
r7c5c2.pdfPlný text737,42 kBAdobe PDFZobrazit/otevřít


Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam: http://hdl.handle.net/11025/6618

Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.