Full metadata record
DC poleHodnotaJazyk
dc.contributor.advisorHolík, Michael
dc.contributor.advisorHolík, Michael
dc.contributor.authorTotzauer, Pavel
dc.contributor.refereeKraus, Václav
dc.date.accepted2013-06-25
dc.date.accessioned2014-02-06T12:39:07Z
dc.date.available2012-10-15cs
dc.date.available2014-02-06T12:39:07Z
dc.date.issued2013
dc.date.submitted2013-06-06
dc.identifier54107
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11025/8274
dc.description.abstractPředkládaná bakalářská práce se zabývá vlivy ionizujícího záření na polovodičové součástky. Nejprve jsou popsány různé druhy záření vyskytující se v možných oblastech využití součástek. Dále se práce zabývá degradačními procesy v polovodičích způsobeny právě ionizujícím zářením s větším důrazem na vlivy způsobené celkovou absorbovanou dávkou záření. Vlivy způsobené SEE jsou popsány pouze okrajově, jelikož jsou součástí jiných prací. V poslední části je zohledněn postup při návrhu zařízení a vlivy, které je nutné uvažovat. Na konci práce je uvedeno několik příkladů záření odolných součástek používaných v dnešní době.cs
dc.formatIV s., 33 s., 3 s. (58 469 znaků)cs
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.language.isocscs
dc.publisherZápadočeská univerzita v Plznics
dc.rightsPlný text práce je přístupný bez omezení.cs
dc.subjectioinizační zářenícs
dc.subjectpolovodičecs
dc.subjectkosmické zářenícs
dc.subjectbeta zářenícs
dc.subjectalfa zářenícs
dc.subjectneutronycs
dc.subjectdegradační procesycs
dc.subjectstíněnícs
dc.titleVliv ionizačního záření na životnost polovodičových součástekcs
dc.title.alternativeInfluence of ionization radiation on semiconductorsen
dc.typebakalářská prácecs
dc.thesis.degree-nameBc.cs
dc.thesis.degree-levelBakalářskýcs
dc.thesis.degree-grantorZápadočeská univerzita v Plzni. Fakulta elektrotechnickács
dc.description.departmentKatedra aplikované elektroniky a telekomunikacícs
dc.thesis.degree-programElektrotechnika a informatikacs
dc.description.resultObhájenocs
dc.rights.accessopenAccessen
dc.description.abstract-translatedThe presented bachelor thesis deals with the effects of ionizing radiation on semiconductor devices. At first it describes various types of radiation occurring in the possible areas of component application. Furthermore the thesis deals with degradation processes in semiconductors caused by ionizing radiation with a greater emphasis on effects caused by total absorbed dose of irradiation. The effects caused by SEE are discussed only in passing, as they are part of other thesis. The last part is taken into account in the process of designing equipment and the factors that should be considered. At the end there are a few examples of radiation resistant components used nowadays.en
dc.subject.translatedionization radiationen
dc.subject.translatedsemiconductorsen
dc.subject.translatedcosmic rayen
dc.subject.translatedbeta rayen
dc.subject.translatedalpha rayen
dc.subject.translatedneutronsen
dc.subject.translateddegradation processesen
dc.subject.translatedshieldingen
Vyskytuje se v kolekcích:Bakalářské práce / Bachelor´s works (KAE)

Soubory připojené k záznamu:
Soubor Popis VelikostFormát 
Vliv ionizacniho zareni na zivotnost polovodicovych soucastek.pdfPlný text práce1,89 MBAdobe PDFZobrazit/otevřít
054107_vedouci.pdfPosudek vedoucího práce266,96 kBAdobe PDFZobrazit/otevřít
054107_oponent.pdfPosudek oponenta práce313,75 kBAdobe PDFZobrazit/otevřít
054107_hodnoceni.pdfPrůběh obhajoby práce155,47 kBAdobe PDFZobrazit/otevřít


Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam: http://hdl.handle.net/11025/8274

Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.