Název: Finding multiple DC operating points of MOS circuits fabricated in submicrometer technology
Autoři: Tadeusiewicz, Michał
Ossowski, Marek
Citace zdrojového dokumentu: ISTET 2013: International Symposiumon Theoretical Electrical Engineering: 24th – 26th June 2013: Pilsen, Czech Republic, p. II-9-II-10.
Datum vydání: 2013
Nakladatel: University of West Bohemia
Typ dokumentu: conferenceObject
konferenční příspěvek
URI: http://hdl.handle.net/11025/11475
ISBN: 978-80-261-0246-5
Klíčová slova: analogové obvody;diagnostika poruch;MOS tranzistory;homotopie
Klíčová slova v dalším jazyce: analog circuits;faulty diagnosis;MOS transistors;homotopy
Abstrakt: The paper is focused on the analysis of circuits containing MOS transistors fabricated in submicrometer technology, having multiple DC operating points. The transistors are characterized by intricate models BSIM 3 and BSIM 4. To find the operating points an algorithm is proposed, based on the homotopy concept and the simplicial method. The algorithm is capable of finding multiple DC operating points but it does not guarantee finding all of them. For illustration a numerical example is given.
Práva: © University of West Bohemia
Vyskytuje se v kolekcích:ISTET 2013

Soubory připojené k záznamu:
Soubor Popis VelikostFormát 
Tadeusiewicz.pdfPlný text96,73 kBAdobe PDFZobrazit/otevřít


Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam: http://hdl.handle.net/11025/11475

Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.