Název: Comparison of Waffle and standard gate pattern base on specific on-resistance
Autoři: Vacula, Patrik
Husák, Miroslav
Citace zdrojového dokumentu: Electroscope. 2014, č. 3, EDS 2014.
Datum vydání: 2014
Nakladatel: Západočeská univerzita v Plzni
Typ dokumentu: článek
article
URI: http://147.228.94.30/images/PDF/Rocnik2014/Cislo3_2014/r8c3c7.pdf
http://hdl.handle.net/11025/11823
ISSN: 1802-4564
Klíčová slova: struktury MOS;tranzistory MOS
Klíčová slova v dalším jazyce: MOS structures;MOS transistors
Abstrakt: The main goal of this work is to compare the different Waffle MOS structures as function between main dimensions and channel resistance (specific on-resistance). Even if Waffle MOS structure is so general that it is independent on dedicated CMOS process in fact constrains coming from specific CMOS process design rules has main influence on final Waffle MOS shape and final required area. Comparison describing how dimensions of Waffle MOS have influence on channel resistance would be proposed. Due to non-conventional gate geometry of the Waffle MOS transistor compare to the fingers structure, the channel W/L ratio calculation is not trivial and conformal Schwarz-Christoffel Transformation mapping was used.
Práva: Copyright © 2014 Electroscope. All Rights Reserved.
Vyskytuje se v kolekcích:Číslo 3 (2014)
Číslo 3 (2014)

Soubory připojené k záznamu:
Soubor Popis VelikostFormát 
Vacula.pdfPlný text637,42 kBAdobe PDFZobrazit/otevřít


Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam: http://hdl.handle.net/11025/11823

Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.