Název: Oxidation of sputtered Cu films during thermal annealing in flowing air
Autoři: Šašek, Martin
Zeman, Petr
Musil, Jindřich
Citace zdrojového dokumentu: XXVIII International conference on phenomena in ionized gases: July 15-20, 2007, Prague, Czech Republic: proceedings. Praha: Institute of Plasma Physics AS CR, 2007, p. 711-712.
Datum vydání: 2007
Nakladatel: Institute of Plasma Physics AS CR
Typ dokumentu: conferenceObject
konferenční příspěvek
URI: http://icpig2007.ipp.cas.cz/files/download/cd-cko/ICPIG2007/pdf/2P13-24.pdf
http://hdl.handle.net/11025/1438
ISBN: 978-80-87026-01-4
Klíčová slova: tenké vrstvy;magnetronové naprašování;termogravimetrie;měď;oxidace
Klíčová slova v dalším jazyce: thin films;magnetron sputtering;thermogravimetry;copper;oxidation
Abstrakt: The article deals with oxidation of Cu films during post-deposition thermal annealing in flowing air. Cu films were sputtered from a pure Cu target in Ar using dc unbalanced magnetron. The copper oxide films formed during post-deposition thermal annealing were compared with CuOx films sputtered from Cu target in the mixture of Ar and O2. The oxidation behavior of the films was characterized by high-temperature thermogravimetry and X-ray diffraction (XRD). Thermal annealing was carried out in a wide range of temperatures from 300 to 1300°C. It was found that the CuO oxide decomposes into Cu2O+O at ~1040° C.
Práva: © Jindřich Musil, Martin Šašek, Petr Zeman
Vyskytuje se v kolekcích:Konferenční příspěvky / Conference Papers (FAV)

Soubory připojené k záznamu:
Soubor Popis VelikostFormát 
2P13-24.pdf400,34 kBAdobe PDFZobrazit/otevřít


Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam: http://hdl.handle.net/11025/1438

Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.