| Název: | Kinetika laserem indukované krystalizace amorního křemíku: časově závislé Ramanova spetra a počítačové simulace Kinetics of the laser-induced solid phase crystallization of amorphoussilicon: time-resolved Raman spectroscopy and computersimulations |
| Autoři: | Očenášek, Jan Novák, Petr Prušáková, Lucie |
| Citace zdrojového dokumentu: | Applied surface science, 2017, roč. 392, č. 15 January 2017, s. 867-871. ISSN 0169-4332. |
| Datum vydání: | 2017 |
| Nakladatel: | Elsevier |
| Typ dokumentu: | článek article |
| URI: | http://hdl.handle.net/11025/25678 https://www.scopus.com/record/display.uri?origin=resultslist&eid=2-s2.0-84988920455 |
| ISSN: | 0169-4332 |
| Klíčová slova: | amorní křemík;krystalizace;laser;Eikonalova rovnice;Arhenisův zákon |
| Klíčová slova v dalším jazyce: | amorphous silicon;crystallization;laser;Eikonal equation;Arhenius law |
| Abstrakt: | Tato práce ukazuje, že laserem indukovaná krystalizace instrumentovaná Ramanovo spektroskopií je, z obecného pohledu, efektivním nástrojem pro studium kinematiky tepelne aktivované crystalizace. Je ukázáno, pro krystalizaci pevné fáze amorfního křemíku ve formě tenké vrstvy, že integrální intenzita Ramanovo spektra odpovídající krystalické fázi roste lineárné v časově logaritmickém měřítku. Byl vytvořen matematický model pro simulaci krystalizace v nehomogenním teplotním poli. Model je založen na řešení Ekonalovo rovnice a Arheniovo zákoně. Počítačové simulace úspěšně aproximují kinetiku krystalizace. |
| Abstrakt v dalším jazyce: | This study demonstrates that a laser-induced crystallization instrumented with Raman spectroscopy is, in general, an effective tool to study the thermally activated crystallization kinetics. It is shown, for the solid phase crystallization of an amorphous silicon thin film, that the integral intensity of Raman spectra corresponding to the crystalline phase grows linearly in the time-logarithmic scale. A mathematical model, which assumes random nucleation and crystal growth, was designed to simulate the crystallization process in the non-uniform temperature field induced by laser. The model is based on solving the Eikonal equation and the Arhenius temperature dependence of the crystal nucleation and the growth rate. These computer simulations successfully approximate the crystallization process kinetics and suggest that laser-induced crystallization is primarily thermally activated. |
| Práva: | © Elsevier |
| Vyskytuje se v kolekcích: | Články / Articles (CTM) OBD |
Soubory připojené k záznamu:
| Soubor | Velikost | Formát | |
|---|---|---|---|
| Ocenasek_ASS_2016_submited.pdf | 908,21 kB | Adobe PDF | Zobrazit/otevřít |
Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam:
http://hdl.handle.net/11025/25678Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.