| Title: | High-rate reactive high-power impulse magnetron sputtering of transparent conductive Al-doped ZnO thin films prepared at ambient temperature |
| Other Titles: | Vysokorychlostní reaktivní vysokovýkonové pulzní magnetronové naprašování transparetních vodivých vrstev hliníkem dopovaného ZnO za nízké teploty |
| Authors: | Rezek, Jiří Novák, Petr Houška, Jiří Pajdarová, Andrea Dagmar Kozák, Tomáš |
| Citation: | REZEK, J., NOVÁK, P., HOUŠKA, J., PAJDAROVÁ, A. D., KOZÁK, T. High-rate reactive high-power impulse magnetron sputtering of transparent conductive Al-doped ZnO thin films prepared at ambient temperature. Thin Solid Films, 2019, roč. 679, č. 1 Jun 2019, s. 35-41. ISSN 0040-6090. |
| Issue Date: | 2019 |
| Publisher: | Elsevier |
| Document type: | článek article |
| URI: | 2-s2.0-85064160934 http://hdl.handle.net/11025/34737 |
| ISSN: | 0040-6090 |
| Keywords: | Hliníkem dopovaný ZnO;Transparentní vodivé materiály;Reaktivní vysokovýkonové pulzní magnetronové naprašování;Vysoká depoziční rychlost |
| Keywords in different language: | Aluminum-doped zinc oxide;Transparent conductive materials;Reactive HiPIMS;High deposition rate |
| Abstract: | Reaktivní vysokovýkonové magnetronové naprašování bylo použito pro vysokorychlostní (až 60 nm/min) depozici vodivých (měrný elektrický odpor 0,003 Ω·cm) a opticky transparentních (extinkční koeficient 0,01 na vlnové délce 550 nm) tenkých vrstev ZnO:Al za nízké teploty (< 40 °C). Použili jsme planární Zn:Al terč (3,09 at.% Al) o průměru 100 mm a tloušťce 6 mm upevněný na silně nevyváženém magnetronu. Vrstvy byly deponovány ve směsi argon-kyslík při konstantním parciálním tlaku argonu 2,0 Pa a konstantním parciálním tlaku kyslíku 0,1 Pa. Pro všechny experimenty byla průměrná výkonová hustota na terči 1,9 W/cm^2 a délka napěťového pulzu 200 µs. Průměrná výkonová hustota na terči v pulzu se měnila od 190 W/cm^2 do 940 W/cm^2. Optická emisní spektroskopie byla použita pro lepší pochopení korelací mezi vlastnostmi výbojového plazmatu a strukturními, elektrickými a optickými vlastnostmi připravených vrstev. |
| Abstract in different language: | Reactive high-power impulse magnetron sputtering was used for high-rate (deposition rate of 60 nm/min) deposition of conductive (resistivity of 0.003 Ω·cm) and optically transparent (extinction coefficient at the wavelength of 550 nm of 0.01) ZnO:Al thin films at ambient temperature (< 40 °C). We used planar Zn:Al target (3.09 at.% of Al) with diameter of 100 mm and thickness of 6 mm mounted on strongly unbalanced magnetron. The films were deposited in argon‑oxygen atmosphere at constant argon and oxygen partial pressure of 2.0 Pa and 0.1 Pa, respectively. An average target power and voltage pulse length were kept constant to 1.9 W/cm^2 and 200 µs, respectively. A pulse-averaged target power density was varied in the range of 190–940 W/cm^2. Optical emission spectroscopy was used for better understanding of correlations between plasma discharge properties and structural, electrical and optical properties of prepared films. |
| Rights: | Plný text není přístupný. © Elsevier |
| Appears in Collections: | Články / Articles (CT4) Články / Articles (KFY) OBD |
Files in This Item:
| File | Size | Format | |
|---|---|---|---|
| OBD19_Rezek,Houska_Pajdarova_clanek.pdf | 1,65 MB | Adobe PDF | View/Open Request a copy |
Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/11025/34737Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.