Název:	Raman spectroscopy used to assess the temperature and mechanical stress in thin films of microelectronic structures
Autoři:	Kadlečíková, M. Vančo, Ĺ Breza, J. Priesol, J. Šatka, A.
Citace zdrojového dokumentu:	Electroscope. 2018, č. 1.
Datum vydání:	2018
Nakladatel:	Západočeská univerzita v Plzni, Fakulta elektrotechnická
Typ dokumentu:	článek article
URI:	http://147.228.94.30/images/PDF/Rocnik2018/Cislo1_2018/r12c1c15.pdf http://hdl.handle.net/11025/31008
ISSN:	1802-4564
Klíčová slova:	Ramanova spektroskopie;mikroelektronické struktury;tenké vrstvy;zkoušení materiálu
Klíčová slova v dalším jazyce:	Raman spectroscopy;microelectronic structures;thin films;material testing
Abstrakt v dalším jazyce:	In this experimental work we examined the temperature and mechanical stress in the thin films of microelectronic structures based on GaN and AlN by Raman spectroscopy. The rise in temperature in the Raman spectrum is shown by shifting the Raman bands toward lower wavenumbers. Similarly like with changes of temperature, the changes of the positions of Raman bands may indicate the changes of mechanical stress in the structure. It was confirmed experimentally that in the case of tensile stress the Raman bands are shifted towards lower wavenumbers, and under compressive stress to higher wavenumbers.
Práva:	Copyright © 2018 Electroscope. All Rights Reserved.
Vyskytuje se v kolekcích:	Číslo 1 (2018) Číslo 1 (2018)

Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.