Title: Příprava a studium oxidů křemíku s řízenými vlastnostmi pro fotovoltaiku a fotoniku
Other Titles: Preparation and study of silicon oxides with controlled properties for Photovoltaics and Photonics
Authors: Ponertová, Adriana
Advisor: Calta, Pavel
Referee: Říha, Jan
Issue Date: 2014
Publisher: Západočeská univerzita v Plzni
Document type: diplomová práce
URI: http://hdl.handle.net/11025/14948
Keywords: fotovoltaika;tenká vrstva;oxid křemíku;PECVD;optické a strukturní vlastnosti;XRD spektroskopie;infračervená spektroskopie;Ramanova spektroskopie;UV-Vis spektroskopie;elipsometrie
Keywords in different language: photovoltaic;thin film;sillicon oxide;PECVD;optical and structural properties;XRD spektroscopy;infrared spectroscopy;Raman spectroscopy;UV-Vis spectroscopy;ellipsometry
Abstract: Předkládaná diplomová práce je zaměřena na přípravu tenkých vrstev oxidu křemíku deponovaných metodou PECVD s využitím rf výboje (13,56 MHz). Vrstvy byly připraveny za nízké teploty (250 °C) na substráty ze skla Corning Eagle, měděné substráty a křemíkové wafery <100>. Odlišnosti nadeponovaných tenkých vrstev bylo dosaženo změnou průtoků plynných prekurzorů R = [N2O]/[SiH4]. Byl studován účinek R a vliv následného žíhání vzorků ve vzduchu do teploty 1100 °C, na chemické složení vzorků (analýza EDS), na mikrostrukturu vzorků (analýza XRD), na konfiguraci chemické vazby (FT-IR a Ramanova spektroskopie) a na optické vlastnosti připravených vrstev (UV-Vis spektroskopie a elipsometrie). Výsledky získané měřením jsou prezentovány, analyzovány a diskutovány. V závěru práce jsou výsledky zhodnoceny a je uvedeno potenciální využití pro FV aplikace.
Abstract in different language: The master thesis is focused on preparation of a-SiOx thin films prepared by a rf (13,56 MHz) plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD). Films were deposited at low temperature (250 °C) on different substrates from Corning glass, Cu plates and Si wafers <100>. Differences of as-deposited thin films were obtained by varying the gas flow ratio R = [N2O]/[SiH4]. The effects of gas flow ratio R and effects of the post-deposition thermal annealing in air up to 1100 °C to the compositional (by EDS), microstructural (by XRD), chemical bonding configuration (by FT-IR and Raman microscope) and to the optical properties (by UV-Vis spectrophotometer and by spectroscopic ellipsometry) were studied. Results from measuring are presented, analyzed and discussed. Results are evaluated at the end of thesis and conclusions for potential application in photovoltaic as well.
Rights: Plný text práce je přístupný bez omezení.
Appears in Collections:Diplomové práce / Theses (KEE)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
DP_Adriana_Ponertova.pdfPlný text práce4,05 MBAdobe PDFView/Open
058737_vedouci.pdfPosudek vedoucího práce403,97 kBAdobe PDFView/Open
058737_oponent.pdfPosudek oponenta práce472,47 kBAdobe PDFView/Open
058737_hodnoceni.pdfPrůběh obhajoby práce222,72 kBAdobe PDFView/Open


Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/11025/14948

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.