| Název: | Moderní polovodičové součástky ve výkonové elektronice |
| Další názvy: | Modern semiconductor components in power electronics |
| Autoři: | Truong, Dinh Hung |
| Vedoucí práce/školitel: | Drábek, Pavel |
| Oponent: | Fořt, Jiří |
| Datum vydání: | 2012 |
| Nakladatel: | Západočeská univerzita v Plzni |
| Typ dokumentu: | diplomová práce |
| URI: | http://hdl.handle.net/11025/2662 |
| Klíčová slova: | SiC;karbid křemíku;3C-SiC;4H-SiC;6H-SiXC;polytypie;epitaxe;ohmický kontakt;Schottkyho kontakt;PN dioda s SiC;Schottkyho dioda s SiC;VJFET s SiC;pulsní měnič |
| Klíčová slova v dalším jazyce: | SiC;silicon carbide;3C-SiC;4H-SiC;6H-SiXC;polytypie;epitaxe;ohmický kontakt;Schottkyho kontakt;PN dioda s SiC;Schottkyho dioda s SiC;VJFET s SiC;pulsní měnič |
| Abstrakt: | Polovodičové součástky na bázi křemíku (Si) a arsenik galia (GaAs) nejsou vhodné pro použití ve vysokých teplotách, napětích a ve vysokofrekvenčních zařízeních. Velká mechanická pevnost, vysoká tepelná vodivost a široký zakázaný pás jsou vlastnosti, které z SiC dělá vhodného kandidáta pro použití v polovodičové technice. |
| Abstrakt v dalším jazyce: | Semiconductor devices based on silicon (Si) and gallium arsenic (GaAs) are not suitable for use in high temperature, voltage and high frequency device. Great mechanical strength, high thermal conductivity and wide bandgap are properties of SiC, which makes a good candidate for use in semiconductor technology. |
| Práva: | Plný text práce je přístupný bez omezení. |
| Vyskytuje se v kolekcích: | Diplomové práce / Theses (KET) |
Soubory připojené k záznamu:
| Soubor | Popis | Velikost | Formát | |
|---|---|---|---|---|
| DP_Truong_MPSVE_2012.pdf | Plný text práce | 3,19 MB | Adobe PDF | Zobrazit/otevřít |
| 040793_vedouci.pdf | Posudek vedoucího práce | 267,24 kB | Adobe PDF | Zobrazit/otevřít |
| Truong_O.pdf | Posudek oponenta práce | 657,77 kB | Adobe PDF | Zobrazit/otevřít |
| 040793_hodnoceni.pdf | Průběh obhajoby práce | 112,43 kB | Adobe PDF | Zobrazit/otevřít |
Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam:
http://hdl.handle.net/11025/2662Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.